雖然，在蘋果和三星兩大巨頭的力捧之下——蘋果Apple watch上采用Micro LED面板、三星推Micro LED家用電視，Micro LED成為當紅炸子雞，但由于其技術難度和高昂成本，我們現在談論Micro LED產業化似乎為時尚早。不過，且看Micro LED最新技術進展，不難發現，Micro LED越來越近了……
Micro LED量產最大難關
Micro LED 是 LED 產業的延伸，在 LED 芯片制造環節與傳統技術具備相似性，同樣需要外延片、RGB 三色晶粒與組裝。Micro LED 雖然前段制程與面板、IC 電路相似，但多了一項巨量轉移制程。而目前 Micro LED 量產最大難關就是在此環節上。
安信證券指出，巨量轉移存在兩大挑戰：一是Micro LED芯片在進行大量、多次轉移時的良率必須達到99.9999%，精準度控制在±0.5微米以內；二是RGB全彩顯示需要對紅、藍、綠芯片分別轉移，要求精準定位燈珠。
若要達到商用化程度，Micro LED 巨量轉移良率必須達到 99.9999%。若以一臺 4K UHD 面板為列，其含有 3840*2160 像素，轉化為彩色 Micro LED 芯片將超過 24,800,000 顆。如果只以 99.99% 良率計算，一臺 4K 顯示器上的不合格芯片將高達 2488.32 顆，如果是 99.9999% 的良率，只會有 2.49 顆不合格芯片。由此可以看出目前各廠面對這座巨大技術高墻暫時難以突破。
Micro LED先應用于小尺寸
不過，即使 Micro LED 良率問題無法有效改善，但 Yole 還是認為今年 Micro LED 應用將可在小尺寸市場中見到身影，特別是穿戴式消費性電子，隨后在 2021 年開始滲透至智能手機與電視領域，而智能手機將是 Micro LED 顯示技術運用最大的領域。
相比之下，尺寸要小得多的智能手機等數碼電子產品先應用Micro LED技術更合適，畢竟這類產品的顯示屏尺寸要小得多，而且也能承受成本更高的Micro LED面板。
Micro LED技術除了在顯示技術方面較OLED更先進之外，采用合適的基板，可以適應各種尺寸和設計形狀的電子產品，例如當下正受到高度關注的折疊手機，三星和華為的折疊手機采用OLED面板都在折疊OLED面板時面臨著巨大的技術挑戰，而Micro LED面板則可以完美解決這一問題，到Micro LED真正成熟商用的時候，曾經的穿戴設備構想或許就會成為現實。
正是由于Micro LED所擁有的諸多先進特性，蘋果已將Micro LED面板應用于其Apple watch上，只不過由于成本過高以及產能有限無法滿足iPhone的要求，而在iPhone上采用了OLED面板，如果未來該技術能達到蘋果的要求預計它或會與LG等面板廠商合作迅速推進Micro LED面板的量產，擺脫當下OLED面板受制于三星的境況。
新進展
一種結構，有利于提升Micro LED效率
美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵 LED 結構，有助于提高 Micro LED 顯示器的效率。
羅徹斯特理工學院的馬修（Matthew Hartensveld）和張敬（音譯，Jing Zhang）在 IEEE Electron Device Letter 期刊上發表了一項研究，描述了他們將納米線氮化鎵場效電晶體（field-effect transistors，簡稱“FETs”）和氮化銦鎵 LED 集成在一起的方法。在這個有創意的新結構中，電晶體被放置在 LED 下面以實現控制和調光。
據悉，研究員通過結合電晶體和 LED，創造出一個緊湊的結構，且制造過程簡易。在改善Micro LED 顯示器發展方面，這個新設計的結構是一個性價比更高的選擇。
研究表明，新結構中，一個區域可放置更多的 LED，因此，像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸變小，像素密度變大，這對于發展 Micro LED 顯示器有很大的幫助。
但是，目前垂直設計的局限性在于關閉 LED 需要一個負電壓，對此，研究者正在努力改進中。（來源于LEDinside）
無需巨量轉移技術，就能實現全彩Micro LED?
臺灣交通大學光電工程學系郭浩中教授研究團隊與廈門大學電子科學系吳挺竹博士和Flex-Photonics佘慶威博士、SIJ Technology Inc公司合作，在單一磊芯片上采用奈米結構應力調變技術與高精度的量子點噴涂技術，合作開發出單片式集成RGB Micro-LED元件，該研究成果展示了無須巨量轉移技術就能實現全彩顯示的Micro-LED概念，研究成果也分別被刊登在國際知名期刊《Scientific Reports》與《Photonics Research》。
由于藍綠光的LED是由銦氮化鎵基材料為主，因為晶體結構的關系，是一種壓電材料，本身具有很強的內建電場，會影響主動區的發光波長與載子復合效率，這個現象稱為量子史侷限塔克效應(quantum confined Stark effect; QCSE)，是困擾LED發光效率的主要原因之一，因此該研究團隊利用QCSE的特性，在綠光磊芯片上通過環型奈米結構的制作，釋放LED主動區的應力來實現波長調變的效果，并將發光波長由綠光調變至藍光；由于奈米結構會犧牲掉部分發光面積而降低發光強度，且Micro-LED隨著尺寸的減小，側壁缺陷對芯片的影響程度則會變大，進而導致芯片發光效率的降低，因此郭教授研究團隊導入了原子層沉積(ALD)薄膜鈍化保護技術取代傳統的電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)的方式，藉由ALD鈍化保護層具有高致密度、高階梯覆蓋能力及有效的缺陷修復等特性，避免載子在芯片表面被缺陷捕捉，大幅提高了元件的發光強度，進而提升效率。
由于制備的每個RGB子像素的尺寸僅為3 μm * 10 μm，因此在小面積上實現量子點材料的精確噴涂也是該研究的一大亮點所在。該研究團隊所采用的高精度量子點噴涂技術，可實現1.65 μm線寬的均勻噴涂（如圖所示），噴涂精度可以很好地滿足要求。
此外，因為奈米結構的設計使得外露的主動區面積增加，多數的量子點與主動區直接接觸，如圖所示，進階的實現了非輻射能量轉移（NRET）效應，提高了量子點材料的色轉換效率。非輻射能量轉移(NRET)是一種發生在兩個發色團之間能量轉移的一種機制，由德國科學家Theodor F?rster提出。可將其描述為激發態上的施體發色團，在距離極靠近的情況下，可以透過偶極耦合的方式將能量傳遞給受體發色團，屬于一種類似近場傳輸(即反應的作用距離遠小于激發波長)，而LED的多重量子井與量子點即可視為兩個發色團，并存在著施體與受體關系，只要在適當的距離之內，就可以發生非輻射能量轉移機制，過去許多研究都利用這個機制來提升量子點的色彩轉換效率。
綜上所述，該聯合研究團隊開發了可實現全彩微顯示的新型Micro-LED，并利用原子層沉積ALD技術改善了Micro-LED的發光效率，同時利用非輻射能量轉移機制提升了量子點的色轉換效率。該研究開發制備的量子點與奈米環Micro-LED技術，為實現Micro-LED的全彩顯示提供了一種新思路與新方向。(來源：LEDinside)
帶有雙Micro led顯示屏的輕量級娛樂用VR眼鏡
日前，Luci推出了一種新的娛樂虛擬現實眼鏡，稱為Luci Immerse，由于采用了雙微型有機發光顯示器（Micro LED），它可以清晰地觀看虛擬現實電影和其他內容。
總部位于加利福尼亞州的這家公司是總部設在北京控股公司的一個分支，在擁擠的市場中進入較晚。但Luci執行副總裁唐民勤（Minqin“Crystal”Tang）表示，該公司認為，目標市場的一部分還沒有被競爭對手很好地覆蓋。
雙Micro led顯示屏具有非常清晰的光學效果、良好的對比度和50度的視野，可以讓您看到相當于高清晰度（每只眼睛1080p分辨率）的1023英寸電視屏幕。唐說：“這類似于在劇院看電影的經歷。” 她說：“你可以戴著眼鏡看電影，所以沒必要去電影院。” 該公司計劃今年秋天以1000美元左右的價格推出這款眼鏡。
數據來源 3qled 顯示之家
